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1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
这座历史悠久的齐纳二极管系列为1N3016 1N3051直通
JEDEC注册的金属外壳DO- 13封装提供了一个玻璃
密封为6.8〜 200伏。它也非常适合用于高可靠性
应用场合是一月, JANTX ,并JANTXV军事可用
资格。较低的电压也可在1N3821直通
1N3830系列( 3.3 V至7.5 V) ,在同一个包中(参见单独的数据
表) 。 Microsemi的还提供了许多其他稳压二极管产品的
其他多种封装,包括表面贴装。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
特点
齐纳电压范围: 6.8V至200V
密封DO- 13金属封装
内部焊接结合建设。
一月, JANTX , JANTXV也可
每MIL - PRF19500 / 115资格加入的
JAN , JANTX ,或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望水平,例如JANTX1N3016B ,
JANTXV1N3051B等。
表面贴装也可与1N3016BUR - 1
通1N3051BUR - 1系列单独的数据表
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
多种选择,从6.8到200 V
严格的电压容差可用
低反向(漏)电流
不敏感的静电放电
密封金属封装
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作结存储温度:
-65
o
C至+175
o
C
热电阻: 50
o
C / W *交界处领导
在从主体或110 0.375英寸( 10mm)的
o
C / W
当引线安装在FR4结点到环境
PC板4毫米
2
铜垫(1盎司)和轨道
宽1毫米,长25毫米
DC功耗
*
: 1.0瓦在T
L
< 125
o
C 3/8”
(10毫米)的机构或1.0瓦在T
L
< +65
o
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
抵抗上述(也参见图1)
正向电压@ 200毫安: 1.5伏特。
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
案例: DO - 13 ( DO- 202AA ) ,焊接,密封
密封的金属和玻璃
表面处理:所有外部表面是锡铅(铅/锡)
镀每MIL -STD- 750方法焊
2026
极性:负极连接情况。
重量:2.3克。
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
1N3016B - 1N3051B
*
为进一步装配基准,从结热阻金属壳体可减小到
& LT ;
20
o
C / W
当直接在散热器安装DO - 13金属外壳。
版权
2003
2003年11月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
JEDEC
TYPE
(注1 )
1N3016B
1N3017B
1N3018B
1N3019B
1N3020B
1N3021B
1N3022B
1N3023B
1N3024B
1N3025B
1N3026B
1N3027B
1N3028B
1N3029B
1N3030B
1N3031B
1N3032B
1N3033B
1N3034B
1N3035B
1N3036B
1N3037B
1N3038B
1N3039B
1N3040B
1N3041B
1N3042B
1N3043B
1N3044B
1N3045B
1N3046B
1N3047B
1N3048B
1N3049B
1N3050B
1N3051B
注意事项:
1.
2.
3.
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
(注2 )
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
齐纳
TEST
当前
I
ZT
mA
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗
(注3)
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
mA
3.5
700
1.0
4.0
700
.5
4.5
700
.5
5
700
.5
7
700
.25
8
700
.25
9
700
.25
10
700
.25
14
700
.25
16
700
.25
20
750
.25
22
750
.25
23
750
.25
25
750
.25
35
750
.25
40
1000
.25
45
1000
.25
50
1000
.25
60
1000
.25
70
1500
.25
80
1500
.25
95
1500
.25
110
2000
.25
125
2000
.25
150
2000
.25
175
2000
.25
200
3000
.25
250
3000
.25
350
3000
.25
450
4000
.25
550
4500
.25
700
5000
.25
1000
6000
.25
1100
6500
.25
1200
7000
.25
1500
8000
.25
最大
齐纳
当前
I
ZM
(注4 )
mA
140
125
115
105
95
85
80
74
63
60
52
47
43
40
34
31
28
26
23
21
19
18
17
15
14
12
11
10
9.0
8.3
8.0
6.9
5.7
5.4
4.9
4.6
最大
反向
泄漏
电流 -
@ V
R
I
R
µA
150
5.2
100
5.7
50
6.2
25
6.9
25
7.6
10
8.4
10
9.1
10
9.9
10
11.4
10
12.2
10
13.7
10
15.2
10
16.7
10
18.2
10
20.6
10
22.8
10
25.1
10
27.4
10
29.7
10
32.7
10
35.8
10
38.8
10
42.6
10
47.1
10
51.7
10
56.0
10
62.2
10
69.2
10
76.0
10
83.6
10
91.2
10
98.8
10
114.0
10
121.6
10
136.8
10
152.0
典型
TEMP 。 COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
.040
.045
.048
.050
.055
.060
.065
.065
.070
.070
.075
.075
.080
.080
.085
.085
.085
.085
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
WWW .
Microsemi的
.C
OM
* JEDEC注册的数据。
†不JEDEC数据。
当使用JEDEC号,B后缀表示+/-名义齐纳电压5 %的容差。后缀A被用来标识为+/- 10 %
耐受性;无后缀表示+/- 20 %的容差:后缀C被用来识别+/- 2 % ;和后缀D被用来标识为+/- 1 %的容差。
1N3016B - 1N3051B
4.
齐纳电压(
V
Z
)是在25℃的测试电流的温度(我测量结在静止空气中的热平衡
ZT
)在
标称电压提供恒定0.25瓦特。
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10% (我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点,以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
我这些值
ZM
通常可能超出单个二极管的情况下。所示的值在高计算为一个单元
其公差范围的电压到底。津贴方面也取得了为升高的齐纳电压高于V
ZT
而导致的齐纳
阻抗和增加的结点温度作为一个单元接近热平衡在1瓦耗散。在我
ZM
示为±5 %容差单位的值可用于与小误差为±10%,容差的单位,但应该由7%降到
包括接近其可承受范围的高电压端的+/- 20 %的公差单位。
o
版权
2003
2003年11月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第2页
1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
WWW .
Microsemi的
.C
OM
温度系数毫伏/ C
温度系数% / C
电压温度
o
系数% / C
P
d
- 额定功率
功耗(瓦)
o
MV变化/ C
o
o
T
L
- 引脚温度( C) 3/8“从身体
o
额定齐纳电压(伏)
或T
A
在FR4 PC板
图1
功率降额曲线
图2
典型的齐纳电压温度
COEFF 。与齐纳电压
包装尺寸
1N3016B - 1N3051B
科幻gure 3
典型的电容与反向电压为1瓦齐纳二极管
DO- 13 (DO- 202AA )
版权
2003
2003年11月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第3页
1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
这座历史悠久的齐纳二极管系列为1N3016 1N3051直通
JEDEC注册的金属外壳DO- 13封装提供了一个玻璃
密封为6.8〜 200伏。它也非常适合用于高可靠性
应用场合是一月, JANTX ,并JANTXV军事可用
资格。较低的电压也可在1N3821直通
1N3830系列( 3.3 V至7.5 V) ,在同一个包中(参见单独的数据
表) 。 Microsemi的还提供了许多其他稳压二极管产品的
其他多种封装,包括表面贴装。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
特点
齐纳电压范围: 6.8V至200V
密封DO- 13金属封装
内部焊接结合建设。
一月, JANTX , JANTXV也可
每MIL - PRF19500 / 115资格加入的
JAN , JANTX ,或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望水平,例如JANTX1N3016B ,
JANTXV1N3051B等。
表面贴装也可与1N3016BUR - 1
通1N3051BUR - 1系列单独的数据表
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
多种选择,从6.8到200 V
严格的电压容差可用
低反向(漏)电流
不敏感的静电放电
密封金属封装
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作结存储温度:
-65
o
C至+175
o
C
热电阻: 50
o
C / W *交界处领导
在从主体或110 0.375英寸( 10mm)的
o
C / W
当引线安装在FR4结点到环境
PC板4毫米
2
铜垫(1盎司)和轨道
宽1毫米,长25毫米
DC功耗
*
: 1.0瓦在T
L
< 125
o
C 3/8”
(10毫米)的机构或1.0瓦在T
L
< +65
o
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
抵抗上述(也参见图1)
正向电压@ 200毫安: 1.5伏特。
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
案例: DO - 13 ( DO- 202AA ) ,焊接,密封
密封的金属和玻璃
表面处理:所有外部表面是锡铅(铅/锡)
镀每MIL -STD- 750方法焊
2026
极性:负极连接情况。
重量:2.3克。
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
1N3016B - 1N3051B
*
为进一步装配基准,从结热阻金属壳体可减小到
& LT ;
20
o
C / W
当直接在散热器安装DO - 13金属外壳。
版权
2003
2003年11月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
JEDEC
TYPE
(注1 )
1N3016B
1N3017B
1N3018B
1N3019B
1N3020B
1N3021B
1N3022B
1N3023B
1N3024B
1N3025B
1N3026B
1N3027B
1N3028B
1N3029B
1N3030B
1N3031B
1N3032B
1N3033B
1N3034B
1N3035B
1N3036B
1N3037B
1N3038B
1N3039B
1N3040B
1N3041B
1N3042B
1N3043B
1N3044B
1N3045B
1N3046B
1N3047B
1N3048B
1N3049B
1N3050B
1N3051B
注意事项:
1.
2.
3.
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
(注2 )
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
齐纳
TEST
当前
I
ZT
mA
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗
(注3)
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
mA
3.5
700
1.0
4.0
700
.5
4.5
700
.5
5
700
.5
7
700
.25
8
700
.25
9
700
.25
10
700
.25
14
700
.25
16
700
.25
20
750
.25
22
750
.25
23
750
.25
25
750
.25
35
750
.25
40
1000
.25
45
1000
.25
50
1000
.25
60
1000
.25
70
1500
.25
80
1500
.25
95
1500
.25
110
2000
.25
125
2000
.25
150
2000
.25
175
2000
.25
200
3000
.25
250
3000
.25
350
3000
.25
450
4000
.25
550
4500
.25
700
5000
.25
1000
6000
.25
1100
6500
.25
1200
7000
.25
1500
8000
.25
最大
齐纳
当前
I
ZM
(注4 )
mA
140
125
115
105
95
85
80
74
63
60
52
47
43
40
34
31
28
26
23
21
19
18
17
15
14
12
11
10
9.0
8.3
8.0
6.9
5.7
5.4
4.9
4.6
最大
反向
泄漏
电流 -
@ V
R
I
R
µA
150
5.2
100
5.7
50
6.2
25
6.9
25
7.6
10
8.4
10
9.1
10
9.9
10
11.4
10
12.2
10
13.7
10
15.2
10
16.7
10
18.2
10
20.6
10
22.8
10
25.1
10
27.4
10
29.7
10
32.7
10
35.8
10
38.8
10
42.6
10
47.1
10
51.7
10
56.0
10
62.2
10
69.2
10
76.0
10
83.6
10
91.2
10
98.8
10
114.0
10
121.6
10
136.8
10
152.0
典型
TEMP 。 COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
.040
.045
.048
.050
.055
.060
.065
.065
.070
.070
.075
.075
.080
.080
.085
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.095
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.095
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.095
.100
WWW .
Microsemi的
.C
OM
* JEDEC注册的数据。
†不JEDEC数据。
当使用JEDEC号,B后缀表示+/-名义齐纳电压5 %的容差。后缀A被用来标识为+/- 10 %
耐受性;无后缀表示+/- 20 %的容差:后缀C被用来识别+/- 2 % ;和后缀D被用来标识为+/- 1 %的容差。
1N3016B - 1N3051B
4.
齐纳电压(
V
Z
)是在25℃的测试电流的温度(我测量结在静止空气中的热平衡
ZT
)在
标称电压提供恒定0.25瓦特。
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10% (我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点,以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
我这些值
ZM
通常可能超出单个二极管的情况下。所示的值在高计算为一个单元
其公差范围的电压到底。津贴方面也取得了为升高的齐纳电压高于V
ZT
而导致的齐纳
阻抗和增加的结点温度作为一个单元接近热平衡在1瓦耗散。在我
ZM
示为±5 %容差单位的值可用于与小误差为±10%,容差的单位,但应该由7%降到
包括接近其可承受范围的高电压端的+/- 20 %的公差单位。
o
版权
2003
2003年11月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第2页
1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
WWW .
Microsemi的
.C
OM
温度系数毫伏/ C
温度系数% / C
电压温度
o
系数% / C
P
d
- 额定功率
功耗(瓦)
o
MV变化/ C
o
o
T
L
- 引脚温度( C) 3/8“从身体
o
额定齐纳电压(伏)
或T
A
在FR4 PC板
图1
功率降额曲线
图2
典型的齐纳电压温度
COEFF 。与齐纳电压
包装尺寸
1N3016B - 1N3051B
科幻gure 3
典型的电容与反向电压为1瓦齐纳二极管
DO- 13 (DO- 202AA )
版权
2003
2003年11月3日REV A
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第3页
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