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单片机和微处理器芯片的失调电压

发布时间:2020/3/17 23:18:21 访问次数:108

SP1216仿真测得测试芯片的失调电压。经推算知此时在输入的一个端口输入一个T = 1 μs, f = 1 MHz的时钟信号,另一个端口输入脉冲宽度为1 μs,脉冲序列为1000 0001 1000001 011000 0111 1110 1000 00010110000 010000 0111 1110后再对芯片的失调电压进行测量.

                   

Microchip新推出的物联网解决方案,建立在公司旗下以MPLAB X集成开发环境(IDE)为中心的庞大开发工具生态系统之上。MPLAB X 代码配置器(MCC)等代码生成器可为最小的PIC和AVR单片机快速地自动创建和定制应用代码,Harmony软件库支持所有32位单片机和微处理器解决方案。

                                       

数字修调技术一般时被嵌入到电路内部进行修调的,并且修调输入端口与运放的输入端口公用同一个引脚,实现引脚多功能复用设计。大致的芯片内部连接方式。BAIS为偏置电路,A-OPAMP为放大器电路,A-TRIM输出的修调电流端口接入到是放大器第一级的输出导线上。

数字修调电路对运放修调主要分为两步。分别测量出PMOS差分对工作时的失调电压与NMOS差分对工作时的失调电压,Vos (MP1/MP2) 为P差分对管的失调电压, Vos(其它) 为P管工作时其他晶体管带来的失调电压; Vos (MN1/MN2)是N差分对管的失调电压, V′os 为N管工作时其他晶体管带来的失调电压。

         

输入电压较低时,PMOS差分对工作,失调电压约为1.932 mV;输入电压较高时,NMOS差分对工作,此时,失调电压约为-2.402 mV。在PMOS差分对管,失调电压约为34。88 μV;NMOS差分对管工作时,失调电压约为88。74 μV。对修调后的Vos曲线,在0 V、3。1 V、5 V左右失调电压均有所。

               

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