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FS75R12KS4英飞凌

发布时间:2020/3/17 20:27:00 访问次数:68发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 500 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
技术: Si
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FS75R12KS4
单位重量: 300 g


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产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
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在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 500 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
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封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
技术: Si
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
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子类别: IGBTs
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封装 / 箱体: EconoPACK 3A
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封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
技术: Si
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
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产品种类: IGBT 模块
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
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高度: 17 mm
长度: 122 mm
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